WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Micron Technology Inc. MLC 64G 8GX8 VBGA
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Micron Technology Inc. MLC 64G 8GX8 VBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
MLC 64G 8GX8 VBGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
100MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Gb (8G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
36,542
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F64G08CBCBBH1-10X:B более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F64G08CBCBBH1-10X:B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F64G08CBCBBH1-10X:B. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Особенности

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Подробная информация о продукции

:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F64G08CBCBBH1-10X:B (PDF), цена MT29F64G08CBCBBH1-10X:B, Распиновка MT29F64G08CBCBBH1-10X:B, руководство MT29F64G08CBCBBH1-10X:B и решение на замену MT29F64G08CBCBBH1-10X:B.
  

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B FAQ

:
1. What is the maximum capacity of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.

2. What interface does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.

3. What is the operating voltage range of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is typically 2.7V to 3.6V.

4. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is designed to withstand industrial temperature ranges.

5. What are the typical read and program times for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The typical read time for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.

6. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.

7. What is the erase block size of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The erase block size of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is 128 kilobytes.

8. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is suitable for use in automotive applications.

9. What is the data retention period of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is typically 10 years.

10. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory supports multiple plane operations for improved performance.
  

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Связанные ключевые слова

:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Цена
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Техническая спецификация
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Картина
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B PDF
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Технические характеристики
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Напряжение на выводе
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products