MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Micron Technology Inc. IC FLASH 64GBIT 100MHZ TSOP
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 64GBIT 100MHZ TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
100MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Gb (8G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
36,792
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Особенности
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Подробная информация о продукции
:
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR (PDF), цена MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR, Распиновка MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR, руководство MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR и решение на замену MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR (PDF), цена MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR, Распиновка MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR, руководство MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR и решение на замену MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.
2. What is the operating voltage range for the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The operating voltage range for the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 2.7V to 3.6V.
3. Can the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR withstand high temperature environments?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is designed to withstand high temperature environments.
4. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The typical program and erase cycle endurance of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 3000 cycles.
5. Does the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR supports hardware data protection features.
6. What interface does the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR use for data transfer?
The MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR uses a standard NAND flash interface for data transfer.
7. Is the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is compatible with industrial-grade applications.
8. What is the typical page size of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The typical page size of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 2KB.
9. Can the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What is the expected retention period for data stored in the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The expected retention period for data stored in the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 10 years.
The MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.
2. What is the operating voltage range for the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The operating voltage range for the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 2.7V to 3.6V.
3. Can the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR withstand high temperature environments?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is designed to withstand high temperature environments.
4. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The typical program and erase cycle endurance of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 3000 cycles.
5. Does the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR supports hardware data protection features.
6. What interface does the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR use for data transfer?
The MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR uses a standard NAND flash interface for data transfer.
7. Is the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is compatible with industrial-grade applications.
8. What is the typical page size of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The typical page size of the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 2KB.
9. Can the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What is the expected retention period for data stored in the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR?
The expected retention period for data stored in the MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR is 10 years.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Связанные ключевые слова
:
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Цена
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Картина
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products