MT47H512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
Интегральные схемы (ИС) 60-TFBGA
Номер производителя:
MT47H512M4EB-25E:C
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
MT47H512M4EB-25E:C Таблицы данных(PDF)
Access Time :
400ps
Clock Frequency :
400MHz
Memory Format :
DRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Gb (512M x 4)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
0°C ~ 85°C (TC)
Package / Case :
60-TFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
60-FBGA (9x11.5)
Technology :
SDRAM - DDR2
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.9 V
Write Cycle Time - Word, Page :
15ns
в наличии
47,979
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT47H512M4EB-25E:C Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT47H512M4EB-25E:C более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT47H512M4EB-25E:C. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT47H512M4EB-25E:C. Нажмите, чтобы получить предложение
MT47H512M4EB-25E:C Особенности
MT47H512M4EB-25E:C is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 85°C (TC), the size is 60-TFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 60-FBGA (9x11.5), 1.7 V ~ 1.9 V is the most suitable voltage.
MT47H512M4EB-25E:C Подробная информация о продукции
:
MT47H512M4EB-25E:C — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT47H512M4EB-25E:C производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT47H512M4EB-25E:C компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT47H512M4EB-25E:C (PDF), цена MT47H512M4EB-25E:C, Распиновка MT47H512M4EB-25E:C, руководство MT47H512M4EB-25E:C и решение на замену MT47H512M4EB-25E:C.
MT47H512M4EB-25E:C производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT47H512M4EB-25E:C компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT47H512M4EB-25E:C (PDF), цена MT47H512M4EB-25E:C, Распиновка MT47H512M4EB-25E:C, руководство MT47H512M4EB-25E:C и решение на замену MT47H512M4EB-25E:C.
MT47H512M4EB-25E:C FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The maximum operating frequency of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 800 MHz.
2. What is the CAS latency of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The CAS latency of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is CL=11.
3. What is the operating voltage range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The operating voltage range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 1.35V to 1.5V.
4. What is the refresh count for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The refresh count for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 8K (64ms).
5. What is the organization of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The organization of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 64Mx4.
6. What is the operating temperature range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The operating temperature range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 0°C to 95°C.
7. What is the package type of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The package type of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 96-ball FBGA.
8. What is the burst length of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The burst length of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 8.
9. What is the data rate of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The data rate of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 1600 Mbps/pin.
10. What is the clock cycle time (tCK) of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The clock cycle time (tCK) of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 1.25 ns.
The maximum operating frequency of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 800 MHz.
2. What is the CAS latency of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The CAS latency of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is CL=11.
3. What is the operating voltage range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The operating voltage range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 1.35V to 1.5V.
4. What is the refresh count for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The refresh count for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 8K (64ms).
5. What is the organization of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The organization of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 64Mx4.
6. What is the operating temperature range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The operating temperature range for the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 0°C to 95°C.
7. What is the package type of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The package type of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 96-ball FBGA.
8. What is the burst length of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The burst length of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 8.
9. What is the data rate of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The data rate of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 1600 Mbps/pin.
10. What is the clock cycle time (tCK) of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM?
The clock cycle time (tCK) of the MT47H512M4EB-25E:C DDR3 SDRAM is 1.25 ns.
MT47H512M4EB-25E:C Связанные ключевые слова
:
MT47H512M4EB-25E:C Цена
MT47H512M4EB-25E:C Картина
MT47H512M4EB-25E:C Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT47"
series
products
