N25Q064A11EF640E Micron Technology Inc. IC FLASH 64MBIT 108MHZ 8VPDFN
Интегральные схемы (ИС) 8-VDFN Exposed Pad
Номер производителя:
N25Q064A11EF640E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 64MBIT 108MHZ 8VPDFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
N25Q064A11EF640E Таблицы данных(PDF)
Access Time :
-
Clock Frequency :
108MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
SPI
Memory Size :
64Mb (16M x 4)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
8-VDFN Exposed Pad
Packaging :
Tray
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
8-VDFPN (6x5) (MLP8)
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 2 V
Write Cycle Time - Word, Page :
8ms, 5ms
в наличии
30,184
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
N25Q064A11EF640E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить N25Q064A11EF640E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc N25Q064A11EF640E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на N25Q064A11EF640E. Нажмите, чтобы получить предложение
N25Q064A11EF640E Особенности
N25Q064A11EF640E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 8-VDFN Exposed Pad, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 8-VDFPN (6x5) (MLP8), 1.7 V ~ 2 V is the most suitable voltage.
N25Q064A11EF640E Подробная информация о продукции
:
N25Q064A11EF640E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
N25Q064A11EF640E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
N25Q064A11EF640E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных N25Q064A11EF640E (PDF), цена N25Q064A11EF640E, Распиновка N25Q064A11EF640E, руководство N25Q064A11EF640E и решение на замену N25Q064A11EF640E.
N25Q064A11EF640E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
N25Q064A11EF640E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных N25Q064A11EF640E (PDF), цена N25Q064A11EF640E, Распиновка N25Q064A11EF640E, руководство N25Q064A11EF640E и решение на замену N25Q064A11EF640E.
N25Q064A11EF640E FAQ
:
1. What is the maximum clock frequency of the N25Q064A11EF640E flash memory?
The maximum clock frequency of the N25Q064A11EF640E flash memory is 108 MHz.
2. What is the operating voltage range for the N25Q064A11EF640E flash memory?
The operating voltage range for the N25Q064A11EF640E flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. What is the capacity of the N25Q064A11EF640E flash memory?
The N25Q064A11EF640E flash memory has a capacity of 64 Megabits (8 Megabytes).
4. What interface does the N25Q064A11EF640E flash memory use for communication?
The N25Q064A11EF640E flash memory uses a Serial Peripheral Interface (SPI) for communication.
5. What are the typical erase and program times for the N25Q064A11EF640E flash memory?
The typical erase time for the N25Q064A11EF640E flash memory is 4 seconds, and the typical program time is 0.7 milliseconds per byte.
6. Does the N25Q064A11EF640E flash memory support sector or block erase operations?
Yes, the N25Q064A11EF640E flash memory supports both sector and block erase operations.
7. What is the temperature range for the N25Q064A11EF640E flash memory's operation?
The N25Q064A11EF640E flash memory can operate within a temperature range of -40°C to 85°C.
8. Can the N25Q064A11EF640E flash memory be powered down during a write operation?
No, the N25Q064A11EF640E flash memory should not be powered down during a write operation to avoid data corruption.
9. What is the typical data retention period for the N25Q064A11EF640E flash memory?
The typical data retention period for the N25Q064A11EF640E flash memory is 20 years.
10. Is the N25Q064A11EF640E flash memory RoHS compliant?
Yes, the N25Q064A11EF640E flash memory is RoHS compliant, meeting the Restriction of Hazardous Substances directive.
The maximum clock frequency of the N25Q064A11EF640E flash memory is 108 MHz.
2. What is the operating voltage range for the N25Q064A11EF640E flash memory?
The operating voltage range for the N25Q064A11EF640E flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. What is the capacity of the N25Q064A11EF640E flash memory?
The N25Q064A11EF640E flash memory has a capacity of 64 Megabits (8 Megabytes).
4. What interface does the N25Q064A11EF640E flash memory use for communication?
The N25Q064A11EF640E flash memory uses a Serial Peripheral Interface (SPI) for communication.
5. What are the typical erase and program times for the N25Q064A11EF640E flash memory?
The typical erase time for the N25Q064A11EF640E flash memory is 4 seconds, and the typical program time is 0.7 milliseconds per byte.
6. Does the N25Q064A11EF640E flash memory support sector or block erase operations?
Yes, the N25Q064A11EF640E flash memory supports both sector and block erase operations.
7. What is the temperature range for the N25Q064A11EF640E flash memory's operation?
The N25Q064A11EF640E flash memory can operate within a temperature range of -40°C to 85°C.
8. Can the N25Q064A11EF640E flash memory be powered down during a write operation?
No, the N25Q064A11EF640E flash memory should not be powered down during a write operation to avoid data corruption.
9. What is the typical data retention period for the N25Q064A11EF640E flash memory?
The typical data retention period for the N25Q064A11EF640E flash memory is 20 years.
10. Is the N25Q064A11EF640E flash memory RoHS compliant?
Yes, the N25Q064A11EF640E flash memory is RoHS compliant, meeting the Restriction of Hazardous Substances directive.
N25Q064A11EF640E Связанные ключевые слова
:
N25Q064A11EF640E Цена
N25Q064A11EF640E Картина
N25Q064A11EF640E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"N25Q"
series
products