N25Q128A13BF840E Micron Technology Inc. IC FLASH 128MBIT 108MHZ 8VDFPN

Интегральные схемы (ИС) 8-VDFN Exposed Pad

Номер производителя:

N25Q128A13BF840E

Производитель:

Micron Technology Inc.

Категория продукции:

объем памяти

Описание:

IC FLASH 128MBIT 108MHZ 8VDFPN

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

N25Q128A13BF840E Таблицы данных(PDF)

Access Time :

Clock Frequency :

108MHz

Memory Format :

Flash

Memory Interface :

SPI

Memory Size :

128Mb (16M x 8)

Memory Type :

Non-Volatile

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-40°C ~ 85°C (TA)

Package / Case :

8-VDFN Exposed Pad

Packaging :

Tray

Part Status :

Obsolete

Series :

Supplier Device Package :

8-VDFPN (MLP8) (8x6)

Technology :

FLASH - NOR

Voltage - Supply :

2.7 V ~ 3.6 V

Write Cycle Time - Word, Page :

8ms, 5ms

в наличии

31,625

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

N25Q128A13BF840E Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить N25Q128A13BF840E более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc N25Q128A13BF840E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на N25Q128A13BF840E. Нажмите, чтобы получить предложение

N25Q128A13BF840E Особенности

N25Q128A13BF840E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 8-VDFN Exposed Pad, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 8-VDFPN (MLP8) (8x6), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.

N25Q128A13BF840E Подробная информация о продукции

N25Q128A13BF840E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
N25Q128A13BF840E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
N25Q128A13BF840E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных N25Q128A13BF840E (PDF), цена N25Q128A13BF840E, Распиновка N25Q128A13BF840E, руководство N25Q128A13BF840E и решение на замену N25Q128A13BF840E.

N25Q128A13BF840E FAQ

1. What is the maximum clock frequency of the N25Q128A13BF840E flash memory?
The maximum clock frequency of the N25Q128A13BF840E flash memory is 108 MHz.

2. What is the operating voltage range of the N25Q128A13BF840E flash memory?
The operating voltage range of the N25Q128A13BF840E flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. What is the capacity of the N25Q128A13BF840E flash memory?
The capacity of the N25Q128A13BF840E flash memory is 128 Megabits (16 Megabytes).

4. What interface standards does the N25Q128A13BF840E flash memory support?
The N25Q128A13BF840E flash memory supports SPI and QSPI interface standards.

5. What is the typical power consumption of the N25Q128A13BF840E flash memory during read operations?
The typical power consumption of the N25Q128A13BF840E flash memory during read operations is 12 mA.

6. What are the temperature ranges for storing and operating the N25Q128A13BF840E flash memory?
The N25Q128A13BF840E flash memory can be stored within a temperature range of -65°C to 150°C and operated within a range of -40°C to 85°C.

7. Does the N25Q128A13BF840E flash memory support hardware and software write protection?
Yes, the N25Q128A13BF840E flash memory supports both hardware and software write protection features.

8. What is the erase time for the N25Q128A13BF840E flash memory?
The erase time for the N25Q128A13BF840E flash memory is typically 4 seconds for a 4K-byte sector.

9. Can the N25Q128A13BF840E flash memory perform continuous read operations?
Yes, the N25Q128A13BF840E flash memory can perform continuous read operations without any latency between reads.

10. What is the typical data retention period for the N25Q128A13BF840E flash memory?
The typical data retention period for the N25Q128A13BF840E flash memory is 20 years at +85°C.

N25Q128A13BF840E Связанные ключевые слова

N25Q128A13BF840E Цена

N25Q128A13BF840E Техническая спецификация

N25Q128A13BF840E Картина

N25Q128A13BF840E PDF

N25Q128A13BF840E Технические характеристики

N25Q128A13BF840E Напряжение на выводе

N25Q128A13BF840E Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.