NAND256W3A2BN6F TR Micron Technology Inc. IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP
Интегральные схемы (ИС) 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
NAND256W3A2BN6F TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
NAND256W3A2BN6F TR Таблицы данных(PDF)
Access Time :
50ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
256Mb (32M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
48-TSOP
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
50ns
в наличии
17,951
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
NAND256W3A2BN6F TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить NAND256W3A2BN6F TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc NAND256W3A2BN6F TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на NAND256W3A2BN6F TR. Нажмите, чтобы получить предложение
NAND256W3A2BN6F TR Особенности
NAND256W3A2BN6F TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 48-TSOP, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
NAND256W3A2BN6F TR Подробная информация о продукции
:
NAND256W3A2BN6F TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
NAND256W3A2BN6F TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
NAND256W3A2BN6F TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных NAND256W3A2BN6F TR (PDF), цена NAND256W3A2BN6F TR, Распиновка NAND256W3A2BN6F TR, руководство NAND256W3A2BN6F TR и решение на замену NAND256W3A2BN6F TR.
NAND256W3A2BN6F TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
NAND256W3A2BN6F TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных NAND256W3A2BN6F TR (PDF), цена NAND256W3A2BN6F TR, Распиновка NAND256W3A2BN6F TR, руководство NAND256W3A2BN6F TR и решение на замену NAND256W3A2BN6F TR.
NAND256W3A2BN6F TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the NAND256W3A2BN6F TR?
The maximum operating temperature for the NAND256W3A2BN6F TR is 85°C.
2. What is the input voltage range for this NAND flash memory?
The input voltage range for the NAND256W3A2BN6F TR is typically 2.7V to 3.6V.
3. Can you provide the typical read and write access times for this NAND flash memory?
The typical read access time for the NAND256W3A2BN6F TR is 25ns, while the typical write access time is 200μs.
4. What is the capacity of the NAND256W3A2BN6F TR?
The NAND256W3A2BN6F TR has a capacity of 256Gbit.
5. Does this NAND flash memory support SLC or MLC operation?
The NAND256W3A2BN6F TR supports MLC (Multi-Level Cell) operation.
6. What is the package type for the NAND256W3A2BN6F TR?
The NAND256W3A2BN6F TR comes in a BGA (Ball Grid Array) package.
7. Can you provide the data retention period for this NAND flash memory?
The data retention period for the NAND256W3A2BN6F TR is typically 3 years.
8. What are the recommended operating conditions for this NAND flash memory?
The recommended operating conditions for the NAND256W3A2BN6F TR include a temperature range of 0°C to 70°C and a supply voltage of 3.3V.
9. Is the NAND256W3A2BN6F TR compatible with standard NAND interfaces?
Yes, the NAND256W3A2BN6F TR is compatible with standard ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0 and Toggle 2.0 interfaces.
10. Can you provide the typical power consumption specifications for this NAND flash memory?
The typical power consumption for the NAND256W3A2BN6F TR is 60mA for read operations and 1000mA for write operations.
The maximum operating temperature for the NAND256W3A2BN6F TR is 85°C.
2. What is the input voltage range for this NAND flash memory?
The input voltage range for the NAND256W3A2BN6F TR is typically 2.7V to 3.6V.
3. Can you provide the typical read and write access times for this NAND flash memory?
The typical read access time for the NAND256W3A2BN6F TR is 25ns, while the typical write access time is 200μs.
4. What is the capacity of the NAND256W3A2BN6F TR?
The NAND256W3A2BN6F TR has a capacity of 256Gbit.
5. Does this NAND flash memory support SLC or MLC operation?
The NAND256W3A2BN6F TR supports MLC (Multi-Level Cell) operation.
6. What is the package type for the NAND256W3A2BN6F TR?
The NAND256W3A2BN6F TR comes in a BGA (Ball Grid Array) package.
7. Can you provide the data retention period for this NAND flash memory?
The data retention period for the NAND256W3A2BN6F TR is typically 3 years.
8. What are the recommended operating conditions for this NAND flash memory?
The recommended operating conditions for the NAND256W3A2BN6F TR include a temperature range of 0°C to 70°C and a supply voltage of 3.3V.
9. Is the NAND256W3A2BN6F TR compatible with standard NAND interfaces?
Yes, the NAND256W3A2BN6F TR is compatible with standard ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0 and Toggle 2.0 interfaces.
10. Can you provide the typical power consumption specifications for this NAND flash memory?
The typical power consumption for the NAND256W3A2BN6F TR is 60mA for read operations and 1000mA for write operations.
NAND256W3A2BN6F TR Связанные ключевые слова
:
NAND256W3A2BN6F TR Цена
NAND256W3A2BN6F TR Картина
NAND256W3A2BN6F TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"NAND"
series
products
