W29N04GVBIAF Winbond Electronics IC FLASH 4GBIT 25NS 63VFBGA
Интегральные схемы (ИС) 63-VFBGA
Номер производителя:
W29N04GVBIAF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 4GBIT 25NS 63VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
25ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
4Gb (512M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
63-VFBGA (9x11)
Technology :
FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
25ns
в наличии
51,662
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
W29N04GVBIAF Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить W29N04GVBIAF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc W29N04GVBIAF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на W29N04GVBIAF. Нажмите, чтобы получить предложение
W29N04GVBIAF Особенности
W29N04GVBIAF is produced by Winbond Electronics, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 63-VFBGA (9x11), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
W29N04GVBIAF Подробная информация о продукции
:
W29N04GVBIAF — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Winbond Electronics.
W29N04GVBIAF производства Winbond Electronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
W29N04GVBIAF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных W29N04GVBIAF (PDF), цена W29N04GVBIAF, Распиновка W29N04GVBIAF, руководство W29N04GVBIAF и решение на замену W29N04GVBIAF.
W29N04GVBIAF производства Winbond Electronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
W29N04GVBIAF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных W29N04GVBIAF (PDF), цена W29N04GVBIAF, Распиновка W29N04GVBIAF, руководство W29N04GVBIAF и решение на замену W29N04GVBIAF.
W29N04GVBIAF FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The maximum operating temperature for the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory during read operations?
The typical power consumption of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory during read operations is 60mA.
3. Can the W29N04GVBIAF NAND Flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The maximum clock frequency supported by the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 108MHz.
5. Does the W29N04GVBIAF NAND Flash memory support hardware data protection features?
Yes, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP protection.
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 3,000 cycles.
7. Is the W29N04GVBIAF NAND Flash memory compatible with standard NAND Flash interfaces?
Yes, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is compatible with standard NAND Flash interfaces such as ONFI 3.0 and Toggle 2.0.
8. What is the maximum capacity available for the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The maximum capacity available for the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 4GB.
9. Does the W29N04GVBIAF NAND Flash memory support advanced error correction mechanisms?
Yes, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory supports advanced error correction mechanisms such as BCH and LDPC.
10. What is the typical data retention period of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The typical data retention period of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 10 years.
The maximum operating temperature for the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory during read operations?
The typical power consumption of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory during read operations is 60mA.
3. Can the W29N04GVBIAF NAND Flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The maximum clock frequency supported by the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 108MHz.
5. Does the W29N04GVBIAF NAND Flash memory support hardware data protection features?
Yes, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP protection.
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 3,000 cycles.
7. Is the W29N04GVBIAF NAND Flash memory compatible with standard NAND Flash interfaces?
Yes, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is compatible with standard NAND Flash interfaces such as ONFI 3.0 and Toggle 2.0.
8. What is the maximum capacity available for the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The maximum capacity available for the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 4GB.
9. Does the W29N04GVBIAF NAND Flash memory support advanced error correction mechanisms?
Yes, the W29N04GVBIAF NAND Flash memory supports advanced error correction mechanisms such as BCH and LDPC.
10. What is the typical data retention period of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory?
The typical data retention period of the W29N04GVBIAF NAND Flash memory is 10 years.
W29N04GVBIAF Связанные ключевые слова
:
W29N04GVBIAF Цена
W29N04GVBIAF Картина
W29N04GVBIAF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"W29N"
series
products
