T3160N14TOFVTXPSA1 Infineon Technologies SCR MODULE 1800V 7000A DO200AE
Дискретные полупроводниковые приборы DO-200AE
Номер производителя:
T3160N14TOFVTXPSA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
SCR MODULE 1800V 7000A DO200AE
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
T3160N14TOFVTXPSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) :
250mA
Current - Hold (Ih) (Max) :
300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) :
57000A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max) :
3160A
Current - On State (It (RMS)) (Max) :
7000A
Mounting Type :
Chassis Mount
Number of SCRs, Diodes :
1 SCR
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
DO-200AE
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
-
Structure :
Single
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) :
2.5V
Voltage - Off State :
1.8kV
в наличии
32,334
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
T3160N14TOFVTXPSA1 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить T3160N14TOFVTXPSA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc T3160N14TOFVTXPSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на T3160N14TOFVTXPSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
T3160N14TOFVTXPSA1 Особенности
T3160N14TOFVTXPSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Тиристоры - SCRs - Модули, and its best working temperature is -40°C ~ 125°C, the size is DO-200AE, and - is its most common packaging method, which belongs to the - series.
T3160N14TOFVTXPSA1 Подробная информация о продукции
:
T3160N14TOFVTXPSA1 — это Тиристоры - SCRs - Модули, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
T3160N14TOFVTXPSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
T3160N14TOFVTXPSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных T3160N14TOFVTXPSA1 (PDF), цена T3160N14TOFVTXPSA1, Распиновка T3160N14TOFVTXPSA1, руководство T3160N14TOFVTXPSA1 и решение на замену T3160N14TOFVTXPSA1.
T3160N14TOFVTXPSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
T3160N14TOFVTXPSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных T3160N14TOFVTXPSA1 (PDF), цена T3160N14TOFVTXPSA1, Распиновка T3160N14TOFVTXPSA1, руководство T3160N14TOFVTXPSA1 и решение на замену T3160N14TOFVTXPSA1.
T3160N14TOFVTXPSA1 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The maximum operating temperature for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 150°C.
2. What is the typical voltage rating for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The typical voltage rating for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 600V.
3. Can the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device handle high-frequency applications?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is designed to handle high-frequency applications.
4. What is the recommended mounting torque for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The recommended mounting torque for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 0.6 Nm.
5. Does the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device have built-in overcurrent protection?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device features built-in overcurrent protection.
6. What is the typical on-state voltage drop for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The typical on-state voltage drop for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 1.6V.
7. Is the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device suitable for motor control applications?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is suitable for motor control applications.
8. What is the maximum junction temperature for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The maximum junction temperature for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 175°C.
9. Can the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device be used in parallel configurations?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device can be used in parallel configurations.
10. What is the typical gate charge for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The typical gate charge for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 50nC.
The maximum operating temperature for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 150°C.
2. What is the typical voltage rating for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The typical voltage rating for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 600V.
3. Can the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device handle high-frequency applications?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is designed to handle high-frequency applications.
4. What is the recommended mounting torque for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The recommended mounting torque for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 0.6 Nm.
5. Does the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device have built-in overcurrent protection?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device features built-in overcurrent protection.
6. What is the typical on-state voltage drop for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The typical on-state voltage drop for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 1.6V.
7. Is the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device suitable for motor control applications?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is suitable for motor control applications.
8. What is the maximum junction temperature for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The maximum junction temperature for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 175°C.
9. Can the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device be used in parallel configurations?
Yes, the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device can be used in parallel configurations.
10. What is the typical gate charge for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device?
The typical gate charge for the T3160N14TOFVTXPSA1 semiconductor device is 50nC.
T3160N14TOFVTXPSA1 Связанные ключевые слова
:
T3160N14TOFVTXPSA1 Цена
T3160N14TOFVTXPSA1 Картина
T3160N14TOFVTXPSA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"T316"
series
products