WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. PMIC - драйверы Gate
  5. IX4R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
IX4R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
IX4R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC

IX4R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC

Интегральные схемы (ИС)     16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Номер производителя:
IX4R11S3T/R
Производитель:
IXYS
Категория продукции:
PMIC - драйверы Gate
Описание:
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IX4R11S3T/R Таблицы данных(PDF)
Channel Type :
Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) :
4A, 4A
Driven Configuration :
Half-Bridge
Gate Type :
IGBT, N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
650V
Input Type :
Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH :
6V, 7V
Mounting Type :
Surface Mount
Number of Drivers :
2
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) :
23ns, 22ns
Series :
-
Supplier Device Package :
16-SOIC
Voltage - Supply :
10 V ~ 35 V
в наличии
17,792
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IX4R11S3T/R Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IX4R11S3T/R более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc IX4R11S3T/R. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IX4R11S3T/R. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IX4R11S3T/R Особенности

IX4R11S3T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate, and its best working temperature is -40°C ~ 150°C (TJ), the size is 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 16-SOIC, 10 V ~ 35 V is the most suitable voltage.
  

IX4R11S3T/R Подробная информация о продукции

:
IX4R11S3T/R — это PMIC - драйверы Gate, буферные усилители, разработанные и произведенные IXYS.
IX4R11S3T/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IX4R11S3T/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IX4R11S3T/R (PDF), цена IX4R11S3T/R, Распиновка IX4R11S3T/R, руководство IX4R11S3T/R и решение на замену IX4R11S3T/R.
  

IX4R11S3T/R FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?

The maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 150°C.

2. What is the typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode?

The typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode is 0.7V.

3. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be used in high-frequency applications?

Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.

4. What is the maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor?

The maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor is 20A.

5. Does the IX4R11S3T/R semiconductor require a heat sink for proper operation?

Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor requires a heat sink to dissipate heat effectively during operation.

6. What is the typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode?

The typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode is 35ns.

7. Is the IX4R11S3T/R semiconductor suitable for automotive applications?

Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor is suitable for automotive applications due to its rugged construction and reliability.

8. What is the maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?

The maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 175°C.

9. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be operated in parallel for higher current applications?

Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be operated in parallel to achieve higher current handling capabilities.

10. What is the typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature?

The typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature is 10μA.
  

IX4R11S3T/R Связанные ключевые слова

:
IX4R11S3T/R Цена
IX4R11S3T/R Техническая спецификация
IX4R11S3T/R Картина
IX4R11S3T/R PDF
IX4R11S3T/R Технические характеристики
IX4R11S3T/R Напряжение на выводе
IX4R11S3T/R Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IX4R" series products