JS28F00AM29EWHB TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP

Интегральные схемы (ИС)     56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
JS28F00AM29EWHB TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Access Time :
110ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (128M x 8, 64M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
56-TSOP (14x20)
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
110ns
в наличии
13,739
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

JS28F00AM29EWHB TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить JS28F00AM29EWHB TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc JS28F00AM29EWHB TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на JS28F00AM29EWHB TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

JS28F00AM29EWHB TR Особенности

JS28F00AM29EWHB TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 56-TSOP (14x20), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

JS28F00AM29EWHB TR Подробная информация о продукции

:
JS28F00AM29EWHB TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
JS28F00AM29EWHB TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
JS28F00AM29EWHB TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных JS28F00AM29EWHB TR (PDF), цена JS28F00AM29EWHB TR, Распиновка JS28F00AM29EWHB TR, руководство JS28F00AM29EWHB TR и решение на замену JS28F00AM29EWHB TR.
  

JS28F00AM29EWHB TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory?
The maximum operating temperature of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory is 85°C.

2. What is the storage capacity of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory?
The JS28F00AM29EWHB TR flash memory has a storage capacity of 128MB.

3. Can the JS28F00AM29EWHB TR flash memory be used in automotive applications?
Yes, the JS28F00AM29EWHB TR flash memory is designed for automotive applications and meets the necessary requirements.

4. What is the interface type of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory?
The interface type of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory is Parallel NOR.

5. Does the JS28F00AM29EWHB TR flash memory support hardware data protection features?
Yes, the JS28F00AM29EWHB TR flash memory supports hardware data protection features for enhanced security.

6. What is the typical power consumption of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory during operation?
The typical power consumption of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory during operation is 50mA.

7. Is the JS28F00AM29EWHB TR flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the JS28F00AM29EWHB TR flash memory is designed to operate reliably in industrial conditions.

8. What are the programming voltage requirements for the JS28F00AM29EWHB TR flash memory?
The programming voltage requirements for the JS28F00AM29EWHB TR flash memory range from 2.7V to 3.6V.

9. Can the JS28F00AM29EWHB TR flash memory withstand high shock and vibration levels?
Yes, the JS28F00AM29EWHB TR flash memory is built to withstand high shock and vibration levels, making it suitable for rugged environments.

10. What is the expected data retention period of the JS28F00AM29EWHB TR flash memory?
The JS28F00AM29EWHB TR flash memory has an expected data retention period of 20 years.
  

JS28F00AM29EWHB TR Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "JS28" series products