M29F800DB55N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP
Интегральные схемы (ИС) 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
M29F800DB55N6E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
55ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tray
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
48-TSOP
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
4.5 V ~ 5.5 V
Write Cycle Time - Word, Page :
55ns
в наличии
13,850
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
M29F800DB55N6E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить M29F800DB55N6E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc M29F800DB55N6E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на M29F800DB55N6E. Нажмите, чтобы получить предложение
M29F800DB55N6E Особенности
M29F800DB55N6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 48-TSOP, 4.5 V ~ 5.5 V is the most suitable voltage.
M29F800DB55N6E Подробная информация о продукции
:
M29F800DB55N6E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
M29F800DB55N6E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
M29F800DB55N6E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных M29F800DB55N6E (PDF), цена M29F800DB55N6E, Распиновка M29F800DB55N6E, руководство M29F800DB55N6E и решение на замену M29F800DB55N6E.
M29F800DB55N6E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
M29F800DB55N6E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных M29F800DB55N6E (PDF), цена M29F800DB55N6E, Распиновка M29F800DB55N6E, руководство M29F800DB55N6E и решение на замену M29F800DB55N6E.
M29F800DB55N6E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F800DB55N6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F800DB55N6E flash memory is 55 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations is 30 mA.
3. Can the M29F800DB55N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F800DB55N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the available package options for the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E is available in a 48-ball NANDFLash™ TSOP and a 48-ball NANDFlash™ LFBGA package.
5. What is the maximum data retention period of the M29F800DB55N6E?
The maximum data retention period of the M29F800DB55N6E is 20 years.
6. Does the M29F800DB55N6E support software and hardware data protection features?
Yes, the M29F800DB55N6E supports both software and hardware data protection features.
7. What is the erase time of the M29F800DB55N6E?
The erase time of the M29F800DB55N6E is 2 seconds per 2-Kbyte sector.
8. Can the M29F800DB55N6E be used in automotive applications?
Yes, the M29F800DB55N6E is suitable for use in automotive applications.
9. What is the maximum program/erase cycle endurance of the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E has a maximum program/erase cycle endurance of 100,000 cycles.
10. Is the M29F800DB55N6E RoHS compliant?
Yes, the M29F800DB55N6E is RoHS compliant.
The maximum operating frequency of the M29F800DB55N6E flash memory is 55 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations is 30 mA.
3. Can the M29F800DB55N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F800DB55N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the available package options for the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E is available in a 48-ball NANDFLash™ TSOP and a 48-ball NANDFlash™ LFBGA package.
5. What is the maximum data retention period of the M29F800DB55N6E?
The maximum data retention period of the M29F800DB55N6E is 20 years.
6. Does the M29F800DB55N6E support software and hardware data protection features?
Yes, the M29F800DB55N6E supports both software and hardware data protection features.
7. What is the erase time of the M29F800DB55N6E?
The erase time of the M29F800DB55N6E is 2 seconds per 2-Kbyte sector.
8. Can the M29F800DB55N6E be used in automotive applications?
Yes, the M29F800DB55N6E is suitable for use in automotive applications.
9. What is the maximum program/erase cycle endurance of the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E has a maximum program/erase cycle endurance of 100,000 cycles.
10. Is the M29F800DB55N6E RoHS compliant?
Yes, the M29F800DB55N6E is RoHS compliant.
M29F800DB55N6E Связанные ключевые слова
:
M29F800DB55N6E Цена
M29F800DB55N6E Картина
M29F800DB55N6E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"M29F"
series
products
