WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. M29W800DB45ZE6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA
M29W800DB45ZE6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA
M29W800DB45ZE6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA

M29W800DB45ZE6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA

Интегральные схемы (ИС)     48-TFBGA
Номер производителя:
M29W800DB45ZE6E
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
M29W800DB45ZE6E Таблицы данных(PDF)
Access Time :
45ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
48-TFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
48-TFBGA (6x8)
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
45ns
в наличии
38,736
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

M29W800DB45ZE6E Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить M29W800DB45ZE6E более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc M29W800DB45ZE6E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на M29W800DB45ZE6E. Нажмите, чтобы получить предложение
 

M29W800DB45ZE6E Особенности

M29W800DB45ZE6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 48-TFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 48-TFBGA (6x8), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

M29W800DB45ZE6E Подробная информация о продукции

:
M29W800DB45ZE6E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
M29W800DB45ZE6E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
M29W800DB45ZE6E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных M29W800DB45ZE6E (PDF), цена M29W800DB45ZE6E, Распиновка M29W800DB45ZE6E, руководство M29W800DB45ZE6E и решение на замену M29W800DB45ZE6E.
  

M29W800DB45ZE6E FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the M29W800DB45ZE6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29W800DB45ZE6E flash memory is 50 MHz.

2. What is the voltage range for the M29W800DB45ZE6E flash memory?
The voltage range for the M29W800DB45ZE6E flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the M29W800DB45ZE6E flash memory be operated in a wide temperature range?
Yes, the M29W800DB45ZE6E flash memory can be operated in a wide temperature range from -40°C to 85°C.

4. What is the typical access time of the M29W800DB45ZE6E flash memory?
The typical access time of the M29W800DB45ZE6E flash memory is 90 ns.

5. Does the M29W800DB45ZE6E support software and hardware data protection features?
Yes, the M29W800DB45ZE6E supports both software and hardware data protection features.

6. What are the available package options for the M29W800DB45ZE6E flash memory?
The M29W800DB45ZE6E flash memory is available in TSOP48 and BGA63 package options.

7. Is the M29W800DB45ZE6E flash memory compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the M29W800DB45ZE6E flash memory is compatible with standard flash memory interfaces.

8. What is the maximum erase and program cycle of the M29W800DB45ZE6E flash memory?
The maximum erase and program cycle of the M29W800DB45ZE6E flash memory is 100,000 cycles.

9. Can the M29W800DB45ZE6E flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the M29W800DB45ZE6E flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.

10. Does the M29W800DB45ZE6E flash memory have built-in ECC (Error Correction Code) functionality?
Yes, the M29W800DB45ZE6E flash memory has built-in ECC functionality for data reliability.
  

M29W800DB45ZE6E Связанные ключевые слова

:
M29W800DB45ZE6E Цена
M29W800DB45ZE6E Техническая спецификация
M29W800DB45ZE6E Картина
M29W800DB45ZE6E PDF
M29W800DB45ZE6E Технические характеристики
M29W800DB45ZE6E Напряжение на выводе
M29W800DB45ZE6E Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "M29W" series products