MT28F004B3VG-8 B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 4MBIT 80NS 40TSOP

Интегральные схемы (ИС) 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Номер производителя:

MT28F004B3VG-8 B TR

Производитель:

Micron Technology Inc.

Категория продукции:

объем памяти

Описание:

IC FLASH 4MBIT 80NS 40TSOP

Состояние RoHs:

Таблицы данных:

MT28F004B3VG-8 B TR Таблицы данных(PDF)

Access Time :

80ns

Clock Frequency :

Memory Format :

Flash

Memory Interface :

Parallel

Memory Size :

4Mb (512K x 8)

Memory Type :

Non-Volatile

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

0°C ~ 70°C (TA)

Package / Case :

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Obsolete

Series :

Supplier Device Package :

40-TSOP I

Technology :

FLASH - NOR

Voltage - Supply :

3 V ~ 3.6 V

Write Cycle Time - Word, Page :

80ns

в наличии

50,537

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

MT28F004B3VG-8 B TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT28F004B3VG-8 B TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT28F004B3VG-8 B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT28F004B3VG-8 B TR. Нажмите, чтобы получить предложение

MT28F004B3VG-8 B TR Особенности

MT28F004B3VG-8 B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 40-TSOP I, 3 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.

MT28F004B3VG-8 B TR Подробная информация о продукции

MT28F004B3VG-8 B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT28F004B3VG-8 B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT28F004B3VG-8 B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT28F004B3VG-8 B TR (PDF), цена MT28F004B3VG-8 B TR, Распиновка MT28F004B3VG-8 B TR, руководство MT28F004B3VG-8 B TR и решение на замену MT28F004B3VG-8 B TR.

MT28F004B3VG-8 B TR FAQ

1. What is the maximum operating frequency of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is 50MHz.

2. What is the typical power consumption of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.

4. What are the voltage requirements for programming the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The voltage requirements for programming the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory range from 2.7V to 3.6V.

5. Does the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory supports hardware data protection features for enhanced security.

6. What is the maximum erase cycle endurance of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory has a maximum erase cycle endurance of 100,000 cycles.

7. Is the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory compatible with standard TSOP packages?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is compatible with standard TSOP packages for easy integration.

8. What is the typical page program time for the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The typical page program time for the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is 200μs.

9. Can the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes for flexibility.

10. What is the data retention period of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory at 25°C?
The data retention period of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory at 25°C is 20 years.

MT28F004B3VG-8 B TR Связанные ключевые слова

MT28F004B3VG-8 B TR Цена

MT28F004B3VG-8 B TR Техническая спецификация

MT28F004B3VG-8 B TR Картина

MT28F004B3VG-8 B TR PDF

MT28F004B3VG-8 B TR Технические характеристики

MT28F004B3VG-8 B TR Напряжение на выводе

MT28F004B3VG-8 B TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.