1N5551 Semtech Corporation DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL
Дискретные полупроводниковые приборы Axial
Номер производителя:
1N5551
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
1N5551 Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
92pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
5A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
1µA @ 400V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-
Package / Case :
Axial
Packaging :
Bulk
Part Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
2µs
Series :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
400V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1V @ 3A
в наличии
30,722
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
1N5551 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 1N5551 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc 1N5551. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 1N5551. Нажмите, чтобы получить предложение
1N5551 Особенности
1N5551 is produced by Semtech Corporation, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is Axial, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), using Axial.
1N5551 Подробная информация о продукции
:
1N5551 — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Semtech Corporation.
1N5551 производства Semtech Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
1N5551 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 1N5551 (PDF), цена 1N5551, Распиновка 1N5551, руководство 1N5551 и решение на замену 1N5551.
1N5551 производства Semtech Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
1N5551 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 1N5551 (PDF), цена 1N5551, Распиновка 1N5551, руководство 1N5551 и решение на замену 1N5551.
1N5551 FAQ
:
1. What is the maximum collector current rating of the 1N5551 discrete semiconductor?
The maximum collector current rating of the 1N5551 discrete semiconductor is 600mA.
2. What is the typical voltage drop across the 1N5551 diode when it is conducting a current of 100mA?
The typical voltage drop across the 1N5551 diode when conducting a current of 100mA is around 0.7V.
3. What is the maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario?
The maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario is 500mW.
4. Can the 1N5551 be used for high-speed switching applications?
Yes, the 1N5551 can be used for high-speed switching applications due to its fast switching characteristics.
5. What is the reverse recovery time of the 1N5551 diode?
The reverse recovery time of the 1N5551 diode is typically around 4ns.
6. Is the 1N5551 suitable for use in low noise amplifier circuits?
Yes, the 1N5551 is suitable for use in low noise amplifier circuits due to its low noise characteristics.
7. What is the maximum junction temperature for the 1N5551?
The maximum junction temperature for the 1N5551 is 175°C.
8. Can the 1N5551 withstand high reverse voltage?
Yes, the 1N5551 can withstand a high reverse voltage of up to 75V.
9. What is the typical capacitance of the 1N5551 diode at a specified reverse bias voltage?
The typical capacitance of the 1N5551 diode at a reverse bias voltage of 4V is around 4pF.
10. Does the 1N5551 have a specified storage temperature range?
Yes, the specified storage temperature range for the 1N5551 is -65°C to 175°C.
The maximum collector current rating of the 1N5551 discrete semiconductor is 600mA.
2. What is the typical voltage drop across the 1N5551 diode when it is conducting a current of 100mA?
The typical voltage drop across the 1N5551 diode when conducting a current of 100mA is around 0.7V.
3. What is the maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario?
The maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario is 500mW.
4. Can the 1N5551 be used for high-speed switching applications?
Yes, the 1N5551 can be used for high-speed switching applications due to its fast switching characteristics.
5. What is the reverse recovery time of the 1N5551 diode?
The reverse recovery time of the 1N5551 diode is typically around 4ns.
6. Is the 1N5551 suitable for use in low noise amplifier circuits?
Yes, the 1N5551 is suitable for use in low noise amplifier circuits due to its low noise characteristics.
7. What is the maximum junction temperature for the 1N5551?
The maximum junction temperature for the 1N5551 is 175°C.
8. Can the 1N5551 withstand high reverse voltage?
Yes, the 1N5551 can withstand a high reverse voltage of up to 75V.
9. What is the typical capacitance of the 1N5551 diode at a specified reverse bias voltage?
The typical capacitance of the 1N5551 diode at a reverse bias voltage of 4V is around 4pF.
10. Does the 1N5551 have a specified storage temperature range?
Yes, the specified storage temperature range for the 1N5551 is -65°C to 175°C.
1N5551 Связанные ключевые слова
:
1N5551 Цена
1N5551 Картина
1N5551 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"1N55"
series
products
