1N5550US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Дискретные полупроводниковые приборы SQ-MELF, B
Номер производителя:
1N5550US
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
1N5550US Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
3A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
1µA @ 200V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-65°C ~ 175°C
Package / Case :
SQ-MELF, B
Packaging :
Bulk
Part Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
2µs
Series :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
D-5B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 9A
в наличии
20,475
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
1N5550US Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 1N5550US более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc 1N5550US. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 1N5550US. Нажмите, чтобы получить предложение
1N5550US Особенности
1N5550US is produced by Microsemi Corporation, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is SQ-MELF, B, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), using D-5B.
1N5550US Подробная информация о продукции
:
1N5550US — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Microsemi Corporation.
1N5550US производства Microsemi Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
1N5550US компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 1N5550US (PDF), цена 1N5550US, Распиновка 1N5550US, руководство 1N5550US и решение на замену 1N5550US.
1N5550US производства Microsemi Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
1N5550US компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 1N5550US (PDF), цена 1N5550US, Распиновка 1N5550US, руководство 1N5550US и решение на замену 1N5550US.
1N5550US FAQ
:
1. What is the maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N5550US?
The maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N5550US is 400 volts.
2. What is the average forward current rating of the 1N5550US?
The average forward current rating of the 1N5550US is 200 milliamperes.
3. What is the peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave?
The peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave is 4.0 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz?
The typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz is 15 picofarads.
6. What is the maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage is 5.0 microamperes.
7. What is the operating and storage temperature range for the 1N5550US?
The operating and storage temperature range for the 1N5550US is -65°C to +175°C.
8. What is the thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US?
The thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US is 83°C/W.
9. What is the maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A is 4.0 microseconds.
10. What is the package type of the 1N5550US?
The package type of the 1N5550US is DO-41.
The maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N5550US is 400 volts.
2. What is the average forward current rating of the 1N5550US?
The average forward current rating of the 1N5550US is 200 milliamperes.
3. What is the peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave?
The peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave is 4.0 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz?
The typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz is 15 picofarads.
6. What is the maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage is 5.0 microamperes.
7. What is the operating and storage temperature range for the 1N5550US?
The operating and storage temperature range for the 1N5550US is -65°C to +175°C.
8. What is the thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US?
The thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US is 83°C/W.
9. What is the maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A is 4.0 microseconds.
10. What is the package type of the 1N5550US?
The package type of the 1N5550US is DO-41.
1N5550US Связанные ключевые слова
:
1N5550US Цена
1N5550US Картина
1N5550US Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"1N55"
series
products
