STH310N10F7-2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Дискретные полупроводниковые приборы TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Номер производителя:

STH310N10F7-2

Производитель:

STMicroelectronics

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

STH310N10F7-2 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

180A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

10V

FET Feature :

FET Type :

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

180nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

12800pF @ 25V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

315W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

2.5 mOhm @ 60A, 10V

Series :

DeepGATE™, STripFET™ VII

Supplier Device Package :

H2Pak-2

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±20V

Vgs(th) (Max) @ Id :

3.8V @ 250µA

в наличии

43,776

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

STH310N10F7-2 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить STH310N10F7-2 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc STH310N10F7-2. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на STH310N10F7-2. Нажмите, чтобы получить предложение

STH310N10F7-2 Особенности

STH310N10F7-2 is produced by STMicroelectronics, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the DeepGATE™, STripFET™ VII series, using H2Pak-2.

STH310N10F7-2 Подробная информация о продукции

STH310N10F7-2 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные STMicroelectronics.
STH310N10F7-2 производства STMicroelectronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
STH310N10F7-2 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных STH310N10F7-2 (PDF), цена STH310N10F7-2, Распиновка STH310N10F7-2, руководство STH310N10F7-2 и решение на замену STH310N10F7-2.

STH310N10F7-2 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage rating for the STH310N10F7-2 power MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the STH310N10F7-2 power MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current rating for the STH310N10F7-2 power MOSFET?
The continuous drain current rating for the STH310N10F7-2 power MOSFET is 110A.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the STH310N10F7-2 power MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the STH310N10F7-2 power MOSFET is typically 0.0031 ohms.

4. Can the STH310N10F7-2 power MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the STH310N10F7-2 power MOSFET is suitable for automotive applications.

5. What is the maximum junction temperature for the STH310N10F7-2 power MOSFET?
The maximum junction temperature for the STH310N10F7-2 power MOSFET is 175°C.

6. Does the STH310N10F7-2 power MOSFET have a low input capacitance?
Yes, the STH310N10F7-2 power MOSFET features low input capacitance for improved performance.

7. What is the gate threshold voltage for the STH310N10F7-2 power MOSFET?
The gate threshold voltage for the STH310N10F7-2 power MOSFET is typically 2.5V.

8. Is the STH310N10F7-2 power MOSFET suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the STH310N10F7-2 power MOSFET is designed for high-frequency switching applications.

9. What type of package does the STH310N10F7-2 power MOSFET come in?
The STH310N10F7-2 power MOSFET is available in a TO-220FP package.

10. Does the STH310N10F7-2 power MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the STH310N10F7-2 power MOSFET is equipped with built-in ESD protection for enhanced reliability.

STH310N10F7-2 Связанные ключевые слова

STH310N10F7-2 Цена

STH310N10F7-2 Техническая спецификация

STH310N10F7-2 Картина

STH310N10F7-2 PDF

STH310N10F7-2 Технические характеристики

STH310N10F7-2 Напряжение на выводе

STH310N10F7-2 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.