STV200N55F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

Дискретные полупроводниковые приборы PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Номер производителя:

STV200N55F3

Производитель:

STMicroelectronics

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

STV200N55F3 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

200A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

10V

FET Feature :

FET Type :

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

100nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

6800pF @ 25V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Obsolete

Power Dissipation (Max) :

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

2.5 mOhm @ 75A, 10V

Series :

STripFET™

Supplier Device Package :

10-PowerSO

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±20V

Vgs(th) (Max) @ Id :

4V @ 250µA

в наличии

37,370

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

STV200N55F3 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить STV200N55F3 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc STV200N55F3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на STV200N55F3. Нажмите, чтобы получить предложение

STV200N55F3 Особенности

STV200N55F3 is produced by STMicroelectronics, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the STripFET™ series, using 10-PowerSO.

STV200N55F3 Подробная информация о продукции

STV200N55F3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные STMicroelectronics.
STV200N55F3 производства STMicroelectronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
STV200N55F3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных STV200N55F3 (PDF), цена STV200N55F3, Распиновка STV200N55F3, руководство STV200N55F3 и решение на замену STV200N55F3.

STV200N55F3 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage rating for the STV200N55F3 power MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the STV200N55F3 power MOSFET is 550 volts.

2. What is the continuous drain current rating of the STV200N55F3 MOSFET?
The continuous drain current rating of the STV200N55F3 MOSFET is 200 amperes.

3. Can the STV200N55F3 handle high-temperature applications?
Yes, the STV200N55F3 is designed to handle high-temperature applications with a specified operating temperature range.

4. What is the typical on-resistance of the STV200N55F3 at room temperature?
The typical on-resistance of the STV200N55F3 at room temperature is 0.032 ohms.

5. Does the STV200N55F3 require a heat sink for proper operation?
Yes, due to its high power handling capability, the STV200N55F3 typically requires a heat sink for proper thermal management.

6. What is the gate threshold voltage of the STV200N55F3 MOSFET?
The gate threshold voltage of the STV200N55F3 MOSFET typically ranges from 2 to 4 volts.

7. Is the STV200N55F3 suitable for use in automotive applications?
Yes, the STV200N55F3 is suitable for use in automotive applications, provided it meets the specific requirements and standards.

8. What is the typical input capacitance of the STV200N55F3 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the STV200N55F3 is specified in the datasheet and varies with voltage and frequency.

9. Can the STV200N55F3 be used in parallel to increase current-handling capability?
Yes, the STV200N55F3 can be used in parallel to increase the overall current-handling capability in certain applications.

10. What are the recommended storage and operating conditions for the STV200N55F3 MOSFET?
The recommended storage and operating conditions for the STV200N55F3 MOSFET are outlined in the product datasheet, including temperature, humidity, and other environmental factors.

STV200N55F3 Связанные ключевые слова

STV200N55F3 Цена

STV200N55F3 Техническая спецификация

STV200N55F3 Картина

STV200N55F3 PDF

STV200N55F3 Технические характеристики

STV200N55F3 Напряжение на выводе

STV200N55F3 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "STV2" series products

STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
STV2050A

IC DGTL CONVERGENCE PROC 80QFP
STV2050A

IC DGTL CONVERGENCE PROC 80QFP